 , где W=120π — волновое сопротивление свободного пространства.
, где W=120π — волновое сопротивление свободного пространства.
В настоящей статье исследуется возможность применения решетки прямоугольных волноводов малых электрических размеров с диэлектрическим заполнением для получения требуемых импедансных свойств в пространстве в непосредственной близости от апертуры.

Рис.1 Период АР из прямоугольных волноводов с диэлектрическим покрытием и искомым поверхностным импедансом Z.
Рассмотрим бесконечную периодическую АР, каждый период которой состоит из  прямоугольных полубесконечных волноводов с общим идеально проводящим фланцем. В общем случае волноводы одного периода имеют различные размеры и диэлектрическое заполнение, а АР — диэлектрическое покрытие толщиной t. Пусть на решетку из полупространства z > 0 в отрицательном направлении оси OZ падает плоская электромагнитная волна произвольной поляризации, тангенциальные электрический и магнитный векторы которой вблизи волноводов удобно представить в виде:
 прямоугольных полубесконечных волноводов с общим идеально проводящим фланцем. В общем случае волноводы одного периода имеют различные размеры и диэлектрическое заполнение, а АР — диэлектрическое покрытие толщиной t. Пусть на решетку из полупространства z > 0 в отрицательном направлении оси OZ падает плоская электромагнитная волна произвольной поляризации, тангенциальные электрический и магнитный векторы которой вблизи волноводов удобно представить в виде:
|  | (1) | 
где  — заданная амплитуда волны,
 — заданная амплитуда волны,  — векторная нулевая гармоника Флоке [2] (p = 1 соответствует H−гармонике, p = 2 — E−гармонике),
 — векторная нулевая гармоника Флоке [2] (p = 1 соответствует H−гармонике, p = 2 — E−гармонике),  — волновая проводимость нулевой гармоники Флоке [2],
 — волновая проводимость нулевой гармоники Флоке [2],  — коэффициент передачи нулевой гармоники Флоке из однородной области над решеткой в область
 — коэффициент передачи нулевой гармоники Флоке из однородной области над решеткой в область  (рис.1),
 (рис.1),  — символ Кронекера,
 — символ Кронекера,  — продольное волновое число,
 — продольное волновое число,  ,
,  — длина волны в вакууме,
 — длина волны в вакууме,  — угол между осью OY и вектором
 — угол между осью OY и вектором  , определяемый при
, определяемый при  =
 =  = 0°,  j2 = -1.
 = 0°,  j2 = -1.
Вторичное (дифракционное) электромагнитное поле обозначим через  ,
,  . Тогда граничную задачу электродинамики для АР можно сформулировать следующим образом: найти электромагнитное поле
. Тогда граничную задачу электродинамики для АР можно сформулировать следующим образом: найти электромагнитное поле  ,
,  ,  удовлетворяющее
,  удовлетворяющее
— однородным уравнениям Максвелла;
— условию непрерывности тангенциальных электрических и магнитных полей в отверстиях связи;
— условию отсутствия вторичных волн, приходящих из бесконечности;
При выполнении этих условий задача имеет единственное решение [3].
Применяя теорему Флоке [2], можно по аналогии с работой [1] построить поперечную магнитную тензорную функцию Грина уравнений Максвелла, которая для однородной области, примыкающей к экрану, имеет вид:
|  | (2) | 
где  — знак диадного произведения векторов,
 — знак диадного произведения векторов,  ,
,  — коэффициент отражения i-той гармоники Флоке от границы z = t (приведен в [2]),
 — коэффициент отражения i-той гармоники Флоке от границы z = t (приведен в [2]),  — коэффициент отражения i−той гармоники Флоке от границы  z = 0 (в данном случае
 — коэффициент отражения i−той гармоники Флоке от границы  z = 0 (в данном случае  = -1), i — обобщенный индекс гармоники Флоке [2],
 = -1), i — обобщенный индекс гармоники Флоке [2],  — радиус−вектор точки наблюдения,
 — радиус−вектор точки наблюдения,  — радиус−вектор точки истока, касательное магнитное поле парциальных волн связано с векторными гармониками Флоке:
 — радиус−вектор точки истока, касательное магнитное поле парциальных волн связано с векторными гармониками Флоке:

индекс "-i" соответствует плоской волне, распространяющейся под углом - ,
,  (
 ( ,
,  — углы распространения волны с индексом "i"), а для неоднозначной функции
 — углы распространения волны с индексом "i"), а для неоднозначной функции  в соответствии с условиями излучения выбирается ветвь, для которой
 в соответствии с условиями излучения выбирается ветвь, для которой  .
.
В соответствии с теоремой эквивалентности [3] заменим отверстия связи магнитными токами  ,
,  на идеально проводящем экране и аналогично тому, как это сделано в [2], запишем систему операторных уравнений относительно этих токов:
 на идеально проводящем экране и аналогично тому, как это сделано в [2], запишем систему операторных уравнений относительно этих токов:
|  | (3) | 
где  — площадь i−того отверстия связи,
 — площадь i−того отверстия связи,  — тензорные функции Грина, для которых в волноводном представлении (2) векторные гармоники Флоке заменены векторными собственными функциями
 — тензорные функции Грина, для которых в волноводном представлении (2) векторные гармоники Флоке заменены векторными собственными функциями  волноводов, коэффициент
 волноводов, коэффициент  равен нулю, а
 равен нулю, а  = -1.
 = -1.
Для решения полученной системы можно воспользоваться, например, методом Галеркина [2] и спроецировать (3) на линейную оболочку функций  . После нахождения неизвестных токов
. После нахождения неизвестных токов  , тангенциальную компоненту дифракционного поля, созданную отверстиями связи (ОС), определим из соотношений
, тангенциальную компоненту дифракционного поля, созданную отверстиями связи (ОС), определим из соотношений

где  — коэффициенты разложения токов
 — коэффициенты разложения токов  по выбранной в методе Галеркина полной системе базисных функций,
 по выбранной в методе Галеркина полной системе базисных функций,  — коэффициент передачи i-той гармоники Флоке из области
 — коэффициент передачи i-той гармоники Флоке из области  в однородную область над решеткой,
 в однородную область над решеткой,

* — знак комплексного сопряжения.
Тогда полное поле над решеткой, в соответствии с принципом суперпозиции, будет равно:

где векторы  ,
,  соответствуют первичной волне, отраженной от структуры «покрытие−экран», а искомый поверхностный импеданс определяется из соотношения:
 соответствуют первичной волне, отраженной от структуры «покрытие−экран», а искомый поверхностный импеданс определяется из соотношения:

причем Z в общем случае — матрица.
Ниже приводятся результаты численных расчетов на ПЭВМ с использованием программы "ArrayGuides Rectangular".
Рассмотрим случай, когда период АР состоит из одного волновода, широкая стенка которого имеет размер a и ориентирована вдоль оси OX, узкая стенка — размер b, а плоская электромагнитная волна поляризована вдоль оси OY. На рис.2 дано семейство кривых, которое отражает изменение в полосе частот импедансных свойств поверхности, расположенной на расстоянии 0.08 (
 ( — длина волны, соответствующая нижней частоте диапазона) от апертуры решетки, в точке x = y = 0. Диэлектрики отсутствуют, волна падает нормально к поверхности АР, волноводы размещены в узлах прямоугольной сетки.
 — длина волны, соответствующая нижней частоте диапазона) от апертуры решетки, в точке x = y = 0. Диэлектрики отсутствуют, волна падает нормально к поверхности АР, волноводы размещены в узлах прямоугольной сетки.
 
  
  
  
 
Рис.2 Поведение мнимой части поверхностного импеданса над решеткой закритических прямоугольных волноводов от частоты  (a: кривая 1 -
 (a: кривая 1 -  = 0.21
 = 0.21 ,  кривая 2 —
,  кривая 2 —  = 0.22
 = 0.22 ,  кривая 3 —
,  кривая 3 —  =0.23
 =0.23 ;  b: кривая 1 —
;  b: кривая 1 —  = 0.18
 = 0.18 ,  кривая 2 —
,  кривая 2 —  = 0.19
 = 0.19 ,  кривая 3 —
,  кривая 3 —  = 0.2
 = 0.2 ; c: кривая 1 — a = 0.2
; c: кривая 1 — a = 0.2 ,  кривая 2 — a = 0.19
,  кривая 2 — a = 0.19 , кривая 3 — a = 0.18
, кривая 3 — a = 0.18 ;  d: кривая 1 — b = 0.17
;  d: кривая 1 — b = 0.17 , кривая 2 — b = 0.16
, кривая 2 — b = 0.16 ,  кривая 3 — b = 0.15
,  кривая 3 — b = 0.15 ; e: кривая 1 —
; e: кривая 1 —  = 0.08
 = 0.08 ,  кривая 2 —
,  кривая 2 —  = 0.07
 = 0.07 , кривая 3 —
, кривая 3 —  = 0.06
 = 0.06 ).
).
Приведенные кривые показывают, как влияют различные параметры структуры: периоды решетки  (рис.2а) и
 (рис.2а) и  (рис.2б), размеры широкой (рис. 2в) и узкой (рис.2г) стенок волновода и расстояние
 (рис.2б), размеры широкой (рис. 2в) и узкой (рис.2г) стенок волновода и расстояние  анализируемой поверхности от апертуры решетки (рис.2д) на величину мнимой части Z. Геометрия решетки:
 анализируемой поверхности от апертуры решетки (рис.2д) на величину мнимой части Z. Геометрия решетки:  = 0.21
 = 0.21 ,
,  = 0.18
 = 0.18 , волновода: a = 0.2
, волновода: a = 0.2 , b = 0.17
, b = 0.17 . Поскольку волновод является закритическим во всем частотном диапазоне, действительная часть Z равна нулю. Погрешность вычислений, установленная по внутренней сходимости численной процедуры, не превышает 1…3% при использовании для описания поля в раскрыве прямоугольного волновода базисных функций, соответствующих волнам
. Поскольку волновод является закритическим во всем частотном диапазоне, действительная часть Z равна нулю. Погрешность вычислений, установленная по внутренней сходимости численной процедуры, не превышает 1…3% при использовании для описания поля в раскрыве прямоугольного волновода базисных функций, соответствующих волнам  ,
,  ,
,  ,
,  . (В дальнейшем, при описании результатов численного эксперимента, указываются те собственные волны прямоугольного волновода, учет которых обеспечивал указанную точность). Из анализа кривых рис. 2 можно сделать следующие выводы:
. (В дальнейшем, при описании результатов численного эксперимента, указываются те собственные волны прямоугольного волновода, учет которых обеспечивал указанную точность). Из анализа кривых рис. 2 можно сделать следующие выводы:
1) наиболее существенно на величину импеданса влияют изменение широкой стенки волновода и расстояния поверхности от апертуры АР;
2) изменение импеданса в сторону его увеличения в нижней части диапазона неизбежно приводит во всех случаях к смещению в сторону нижних частот области резонанса и, тем самым, к снижению полезной полосы частот, в которой  .
.
Пунктиром на рисунках показан импеданс, определяемый по формуле:

при a = 0.2 , b = 0.17
, b = 0.17 ,
,  = 0.08
 = 0.08 . Приведенная формула соответствует нулевому приближению, в ней обозначено:
. Приведенная формула соответствует нулевому приближению, в ней обозначено:  ,
,  — проводимость волны
 — проводимость волны  прямоугольного волновода.
 прямоугольного волновода.
Было исследовано также влияние бесконечно тонкой диафрагмы, устанавливаемой в раскрыве запредельного волновода. Установлено, что использование диафрагмы тоже не позволяет получить требуемого поверхностного импеданса Z в широкой полосе частот.
 
 
Рис.3 Зависимость поверхностного импеданса (a, 1 — модуль,  2 — действительная часть,  3 — мнимая часть) и входного сопротивления ЛИ (b, 1 — действительная часть,  2 — мнимая часть) от частоты  . ЛИ расположен на поверхности с импедансом (a).
. ЛИ расположен на поверхности с импедансом (a).
На рис.3а приведены кривые зависимости Z над АР докритических волноводов от частоты в точке  x = y = 0. Геометрия решетки —  =
 =  = 0.2
 = 0.2 , прямоугольная сетка. Размеры волновода — a = b = 0.19
, прямоугольная сетка. Размеры волновода — a = b = 0.19 ,  диэлектрическое заполнение
,  диэлектрическое заполнение  = 7.2 (что соответствует частоте среза волн
 = 7.2 (что соответствует частоте среза волн  и
 и  ~0.98
 ~0.98 ). Исследуемая поверхность расположена на расстоянии
). Исследуемая поверхность расположена на расстоянии  = 0.125
 = 0.125 . Плоская волна падает нормально к поверхности АР. В волноводе учитывались волны
. Плоская волна падает нормально к поверхности АР. В волноводе учитывались волны  ,
,  ,
,  ,
,  ,
,  ,
,  ,
,  ,
,  .
.
Переход высших типов волн через соответствующие им частоты среза, не приводит, в отличие от волн  и
 и  , к резким изменениям в поведении электромагнитного поля вблизи отверстия связи, поэтому модуль импеданса Z ведет себя достаточно плавно, не опускаясь ниже 660 Ом в двукратной полосе частот. Установлено также, что основной вклад в формирование поля вносит только основная волноводная волна и ближайшая к ней, в то время как вклад других волн (в том числе закритических) пренебрежимо мал.
, к резким изменениям в поведении электромагнитного поля вблизи отверстия связи, поэтому модуль импеданса Z ведет себя достаточно плавно, не опускаясь ниже 660 Ом в двукратной полосе частот. Установлено также, что основной вклад в формирование поля вносит только основная волноводная волна и ближайшая к ней, в то время как вклад других волн (в том числе закритических) пренебрежимо мал.
На рис.3б показано рассчитанное на ПЭВМ поведение действительной и мнимой частей входного сопротивления ЛИ АР, расположенного на расстоянии 0.125 от волновода с указанными выше размерами. Расчет выполнен при условии, что импеданс Z распределен равномерно по периоду решетки и имеет переменную по частоте величину (рис.3а), по формулам работы [1], в которых
 от волновода с указанными выше размерами. Расчет выполнен при условии, что импеданс Z распределен равномерно по периоду решетки и имеет переменную по частоте величину (рис.3а), по формулам работы [1], в которых  = 0,
 = 0,  .  Излучатель имеет длину l =
.  Излучатель имеет длину l =  = 0.2
 = 0.2 , ширину 0.045
, ширину 0.045 и возбуждается
 и возбуждается  −генератором. Решетка сфазирована в направлении нормали. Из рисунка следует, что в полосе частот с перекрытием 1.7 излучатель может быть хорошо согласован с фидерной линией.
−генератором. Решетка сфазирована в направлении нормали. Из рисунка следует, что в полосе частот с перекрытием 1.7 излучатель может быть хорошо согласован с фидерной линией.
Как показал численный эксперимент, использование более одного волновода в периоде АР не позволяет существенно улучшить поведение импеданса Z.
С целью выяснения предельных возможностей докритического волновода в получении требуемого поверхностного импеданса, была проведена оптимизация волноводной решетки. В качестве параметров оптимизации использовались: диэлектрическая проницаемость  волновода и его размеры a, b и диэлектрическая проницаемость
 волновода и его размеры a, b и диэлектрическая проницаемость  и толщина t диэлектрического покрытия. При этом
 и толщина t диэлектрического покрытия. При этом  = t, а все магнитные проницаемости выбирались равными единице. В качестве целевой взята функция
 = t, а все магнитные проницаемости выбирались равными единице. В качестве целевой взята функция
|  | (4) | 
для минимизации которой был использован метод локальных вариаций [4]. В выражении (4)  — частота в i-той точке диапазона,
 — частота в i-той точке диапазона,  — требуемая величина импеданса,  x = y = 0. Для двукратной полосы частот при M = 10,
 — требуемая величина импеданса,  x = y = 0. Для двукратной полосы частот при M = 10,  = 900 Ом, периоде АР
 = 900 Ом, периоде АР  =
 =  = 0.2
 = 0.2 и нормально падающей плоской волне результаты оптимизации оказались следующими:
 и нормально падающей плоской волне результаты оптимизации оказались следующими:  = 7.89, a = 0.19 , b = 0.2
 = 7.89, a = 0.19 , b = 0.2 ,
,  = 1.247, t = 0.127
 = 1.247, t = 0.127 . При этом импеданс Z брался в точке x = y = 0. Поведение оптимизированной структуры в полосе частот иллюстрирует рис.4. В прямоугольном волноводе учитывались волны:
. При этом импеданс Z брался в точке x = y = 0. Поведение оптимизированной структуры в полосе частот иллюстрирует рис.4. В прямоугольном волноводе учитывались волны:  ,
,  ,
,  ,
,  ,
,  ,
,  ,
,  ,
,  .
.

Рис.4 Поведение модуля (кривая 1), действительной части (кривая 2) и мнимой части (кривая 3) поверхностного импеданса оптимизированной структуры «покрытие — решетка прямоугольных волноводов» в полосе частот  .
.
Представляет практический интерес решение задачи определения характеристик излучения и согласования ЛИ, расположенного в плоскости z = t (т.е. на покрытии оптимизированной решетки волноводов). С этой целью была получена и численно решена система операторных уравнений относительно электрического тока  на ЛИ и магнитного тока
 на ЛИ и магнитного тока  в отверстии связи:
 в отверстии связи:
|  | (5) | 
где  — поверхность ЛИ,
 — поверхность ЛИ,  — площадь отверстия связи,
 — площадь отверстия связи,  — поперечный электрический тензор Грина [1], тензор
 — поперечный электрический тензор Грина [1], тензор  — определяется выражением (2), а остальные тензоры равны:
 — определяется выражением (2), а остальные тензоры равны:

причем оператор rot действует на нештрихованные координаты в соответствии с правилами тензорного анализа. Коэффициент  = 0, а
 = 0, а  — определяется из решения граничной задачи для i-той гармоники Флоке в плоскости z = t.
 — определяется из решения граничной задачи для i-той гармоники Флоке в плоскости z = t.
 
 
Рис.5 ДН (a) и модуль коэффициента отражения (b) ЛИ, расположенного в АР над оптимизированной импедансной структурой из прямоугольного волновода и диэлектрического покрытия, в полосе частот (1 — f =  , 2 — f =  1.25
, 2 — f =  1.25 , 3 — f = 1.5
, 3 — f = 1.5 , 4 — f = 1.75
, 4 — f = 1.75 , 5 — f = 2
, 5 — f = 2 ).
).
Для ЛИ длиной l =  = 0.2
 = 0.2 , ориентированного вдоль оси OY, на рис.5а и 5б приведены диаграммы направленности (рис.5а) и модули коэфициентов отражения (рис.5б) в H−плоскости в зависимости от частоты. Излучатели полностью согласованы в направлении нормали к решетке на средней частоте (кривая 3). Используемая оптимизированная импедансная структура поддерживает хорошую работоспособность ЛИ в полосе частот с перекрытием 2:1 и секторе углов ±55°, причем, как видно из рис.6, суммарная активная мощность, прошедшая в прямоугольный волновод, не превышает 0.33 от мощности возбуждения ЛИ.
, ориентированного вдоль оси OY, на рис.5а и 5б приведены диаграммы направленности (рис.5а) и модули коэфициентов отражения (рис.5б) в H−плоскости в зависимости от частоты. Излучатели полностью согласованы в направлении нормали к решетке на средней частоте (кривая 3). Используемая оптимизированная импедансная структура поддерживает хорошую работоспособность ЛИ в полосе частот с перекрытием 2:1 и секторе углов ±55°, причем, как видно из рис.6, суммарная активная мощность, прошедшая в прямоугольный волновод, не превышает 0.33 от мощности возбуждения ЛИ.

Рис.6 Отношение активной мощности, прошедшей в прямоугольный докритический волновод ( ) к мощности возбуждения ЛИ (
) к мощности возбуждения ЛИ ( ) в секторе углов в H-плоскости излучателя в полосе частот (1 — f =
) в секторе углов в H-плоскости излучателя в полосе частот (1 — f =  , 2 — f = 1.25
, 2 — f = 1.25 , 3 — f = 1.5
, 3 — f = 1.5 , 4 — f = 1.75
, 4 — f = 1.75 , 5 — f = 2
, 5 — f = 2 ).
).
В заключение можно сделать следующие выводы:
— Построена магнитная тензорная функция Грина уравнений Максвелла для произвольной области единичной ячейки периодической структуры;
— Построена математическая модель ЛИ, находящегося в составе бесконечной АР и размещенного над произвольным числом волноводов (не обязательно прямоугольного сечения) с диэлектрическими вставками и покрытиями;
— Применение решетки запредельных прямоугольных волноводов не позволяет получить вблизи АР большой по модулю величины поверхностного импеданса ни при какой геометрии решетки и волноводов;
— При использовании решетки докритических волноводов, частота среза основной волны которых равна примерно 0.96 , удается получить поверхностный импеданс, обеспечивающий как минимум двукратную полосу частот и сектор ±55° для ЛИ, размещаемых на этой поверхности.
, удается получить поверхностный импеданс, обеспечивающий как минимум двукратную полосу частот и сектор ±55° для ЛИ, размещаемых на этой поверхности.





 
  


